本田 耕一郎 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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本田 耕一郎
富士通研究所
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本田 耕一郎
富士通研
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野々村 哉
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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Shimizu Masahiro
Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation
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野々村 哉
姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻
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丹生 博彦
兵庫県立大学大学院工学研究科 電気系工学専攻:姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻
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Shimizu M
Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center
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Mitsugi Satoshi
Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology
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Shimizu Mitsuaki
Power Electronics Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
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Shimizu M
Tokyo Inst. Technology Yokohama
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Fujisawa Hironori
Department Of Electrical Electronic And Computer Engineering Graduate School Of Engineering Hitneji
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Shimizu M
Tokyo Univ. Agriculture & Technol. Koganei
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藤沢 浩訓
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
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Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
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Funakubo H
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
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舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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Fujisawa Hironori
Graduate School Of Engineering University Of Hyogo
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藤沢 浩訓
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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清水 勝
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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丹生 博彦
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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清水 勝
兵庫県立大学大学院 工学研究科
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藤沢 浩訓
兵庫県立大学大学院 工学研究科
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丹生 博彦
兵庫県立大学大学院工学研究科 電気系工学専攻
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武田 隆義
広島大総合科
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好村 滋洋
広島大総合科
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渡辺 和人
都立産技高専
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山崎 貴司
富士通研究所
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小高 康稔
富士通研究所
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武田 隆義
広大総合科
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長 康雄
東北大学電気通信研究所
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山崎 貴司
東理大理
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渡辺 和人
産業技術高専
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藤沢 浩訓
兵庫県大
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清水 勝
兵庫県大
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本田 耕一郎
富士通研究所 材料・環境技術研究所
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小高 康稔
東大工
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好村 滋洋
中央大学理工学部
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大沢 昭
富士通研
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本田 耕一郎
富士通研究所基盤技術研究所
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小高 康稔
富士通研
著作論文
- MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御(新型不揮発性メモリー)
- 19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性(新型不揮発性メモリ)
- MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3極薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 電子線ホログラフィーは磁気デバイス・材料の評価に本当に有効か?
- 14a-L-3 CZ法Si単結晶の中性子小角散乱
- 走査型非線形誘電率顕微鏡法によるMONOS型メモリのVth分布観察(LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,及び信頼性一般)