MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御(新型不揮発性メモリー)
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概要
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MOCVD法により、Pt/SrTiO_3およびMgO(111),(110),(100)基板上へPbTiO_3自己集合島を形成した。それぞれのPbTiO_3島の形状は、(1ll)基板上で三角錐、(110)基板上で三角柱、(100)基板上で四角い板状であった。また、これらのPbTiO_3島の面内方位が揃っていることがわかった。このことは、エピタキシャル関係を利用することでPbTiO_3自己集合島の形状や面内方位などの構造制御が可能であることを示している。また、圧電応答測定の結果、これらのナノサイズのPbTiO_3自己集合島が強誘電性を有することがわかった。
- 2004-03-10
著者
-
野々村 哉
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
-
藤沢 浩訓
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
-
清水 勝
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
-
丹生 博彦
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
-
本田 耕一郎
富士通研究所
-
Shimizu Masahiro
Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
-
Funakubo H
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
-
野々村 哉
姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻
-
本田 耕一郎
富士通研
-
丹生 博彦
兵庫県立大学大学院工学研究科 電気系工学専攻:姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
Shimizu M
Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center
-
Mitsugi Satoshi
Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
Shimizu Mitsuaki
Power Electronics Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
-
Shimizu M
Tokyo Inst. Technology Yokohama
-
Fujisawa Hironori
Department Of Electrical Electronic And Computer Engineering Graduate School Of Engineering Hitneji
-
Fujisawa Hironori
Graduate School Of Engineering University Of Hyogo
-
Shimizu M
Tokyo Univ. Agriculture & Technol. Koganei
-
藤沢 浩訓
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
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