マイクロ波励起酸素/窒素混合プラズマによるAl被覆Siの酸化

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概要

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• Al thin films evaporated on Si were oxidized in a microwave excited O<SUB>2</SUB> + H<SUB>2</SUB> mixture and O<SUB>2</SUB> + N<SUB>2</SUB> mixture plasmas, where H<SUB>2</SUB> or N<SUB>2</SUB> was added as a catalytic gas. The compositional variation of each element with depth and the chemical structure of the film were analyzed by means of IMA and XPS with Ar-ion sputtering. In O<SUB>2</SUB> + N<SUB>2</SUB> mixture plasma, an evident interfacial oxide layer was observed at the interface. In O<SUB>2</SUB> + H<SUB>2</SUB> mixture plasma, the inner SiO<SUB>2</SUB> layer was not recognized. To explain these experimental findings, a tentative model of oxidation process is proposed taking into account of electronegativity.

• 日本真空協会の論文

著者

• 丹生 博彦

  姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻

• 松田 哲郎

  姫路工業大学

• 前田 宗雄

  姫路工業大学

• 木村 三郎

  大阪工業技術試験所

• 高井 宗三

  姫路工業大学

• 前田 宗雄

  姫路工業大学電子工学教室

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