MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3極薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
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概要
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MOCVD法によってSrRuO_3(SRO)/SrTiO_3(STO)基板上に成長させたPb(Zr,Ti)O_3(PZT)極薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性に基板表面の平坦性が及ぼす影響について調べた.表面処理によって原子レベルで平坦な表面を持つSTO基板上に堆積させたSRO表面は,平坦なテラスおよびステップを有していた.一方,未処理のSTO基板上に堆積させたSRO表面にはテラスおよびステップが観察されなかった.SRO/処理STO基板上に成長させた膜厚20nmのPZTは飽和したヒステリシスが得られたのに対し,SRO/未処理STO基板上に成長させたPZTではリーク電流の増加により飽和したD-Eヒステリシスが得られなかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-11
著者
-
野々村 哉
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
-
藤沢 浩訓
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
-
清水 勝
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
-
丹生 博彦
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
-
本田 耕一郎
富士通研究所
-
Shimizu Masahiro
Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation
-
野々村 哉
姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻
-
本田 耕一郎
富士通研
-
丹生 博彦
兵庫県立大学大学院工学研究科 電気系工学専攻:姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻
-
Shimizu M
Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center
-
Mitsugi Satoshi
Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
Shimizu Mitsuaki
Power Electronics Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
-
Shimizu M
Tokyo Inst. Technology Yokohama
-
Fujisawa Hironori
Department Of Electrical Electronic And Computer Engineering Graduate School Of Engineering Hitneji
-
Shimizu M
Tokyo Univ. Agriculture & Technol. Koganei
-
藤沢 浩訓
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
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