シリコンウエハ表面の反射電子顕微鏡法による観察
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概要
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Surface roughness of polished silicon wafers was observed by reflection electron microscopy (REM). Small steps were clearly resolved as fringe patteren, and rather rough steps of 1.2-1.6 nm in height and 200-500 nm in interval were observed as dark and bright bands. The Si-SiO<SUB>2</SUB> interface was also observed by REM. REM has been confirmed as an effective means of observing both the silicon surface and the Si-SiO<SUB>2</SUB> interface.
- 日本真空協会の論文
著者
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