走査型非線形誘電率顕微鏡によるフラッシュメモリ中の蓄積電荷の可視化

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概要

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• 日本表面科学会の論文
• 2007-02-10

著者

• 長 康雄

  東北大学電気通信研究所

• 本田 耕一郎

  富士通研

• 本田 耕一郎

  (株)富士通研究所基盤技術研究所

• 本田 耕一郎

  富士通研究所基盤技術研究所

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