C-6-12 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた Si_3N_4/SiO_2/Si 半導体基板への電荷記録
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-10
著者
-
長 康雄
東北大学電気通信研究所
-
平永 良臣
東北大学電気通信研究所
-
本田 耕一郎
富士通研
-
橋本 直
東北大学電気通信研究所
-
本田 耕一郎
(株)富士通研究所基盤技術研究所
-
本田 耕一郎
富士通研究所基盤技術研究所
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