本田 耕一郎 | 富士通研

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概要

• 同名の論文著者
• 富士通研の論文著者

関連著者

• 本田 耕一郎

  富士通研

• 本田 耕一郎

  富士通研究所

• 長 康雄

  東北大学電気通信研究所

• 本田 耕一郎

  富士通研究所基盤技術研究所

• Shimizu Masahiro

  Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation

• Shimizu M

  Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center

• Mitsugi Satoshi

  Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology

• Shimizu Mitsuaki

  Power Electronics Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology

• Shimizu M

  Tokyo Inst. Technology Yokohama

• Fujisawa Hironori

  Department Of Electrical Electronic And Computer Engineering Graduate School Of Engineering Hitneji

• Shimizu M

  Tokyo Univ. Agriculture & Technol. Koganei

• 藤沢 浩訓

  Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.

• 野々村 哉

  姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻

• Funakubo H

  Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.

• Funakubo H

  Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn

• 野々村 哉

  姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻

• 丹生 博彦

  兵庫県立大学大学院工学研究科 電気系工学専攻:姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• Fujisawa Hironori

  Graduate School Of Engineering University Of Hyogo

• 本田 耕一郎

  (株)富士通研究所基盤技術研究所

• 武田 隆義

  広島大総合科

• 好村 滋洋

  広島大総合科

• 藤沢 浩訓

  姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻

• 清水 勝

  姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻

• 丹生 博彦

  姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻

• 大沢 昭

  富士通研

• 渡辺 和人

  都立産技高専

• 山崎 貴司

  富士通研究所

• 小高 康稔

  富士通研究所

• 武田 隆義

  広大総合科

• 平永 良臣

  東北大学電気通信研究所

• 清水 勝

  兵庫県立大学大学院 工学研究科

• 藤沢 浩訓

  兵庫県立大学大学院 工学研究科

• 山崎 貴司

  東理大理

• 渡辺 和人

  産業技術高専

• 藤沢 浩訓

  兵庫県大

• 清水 勝

  兵庫県大

• 丹生 博彦

  兵庫県立大学大学院工学研究科 電気系工学専攻

• 小高 康稔

  東大工

• 好村 滋洋

  中央大学理工学部

• 橋本 直

  東北大学電気通信研究所

• 長 康雄

  東北大学・電気通信研究所

• 本田 耕一郎

  (株) 富士通研究所

• 大沢 昭

  (株) 富士通研究所

• 小高 康稔

  富士通研

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著作論文

• MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御(新型不揮発性メモリー)
• 19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性(新型不揮発性メモリ)
• MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3極薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
• SNDMによる Flash Memory の蓄積電荷の視覚化
• 走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)による半導体デバイスの評価 (特集 SPMによる半導体表面分析の最近の展開)
• 走査型非線形誘電率顕微鏡によるフラッシュメモリ中の蓄積電荷の可視化
• 14a-L-3 CZ法Si単結晶の中性子小角散乱
• C-6-12 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた Si_3N_4/SiO_2/Si 半導体基板への電荷記録
• シリコンウエハ表面の反射電子顕微鏡法による観察
• 走査型非線形誘電率顕微鏡法によるMONOS型メモリのVth分布観察(LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,及び信頼性一般)
• 3a-A3-7 CZ法Si単結晶の中性子小角散乱II(3a A3 格子欠陥,格子欠陥)

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