丹生 博彦 | 姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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概要
関連著者
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丹生 博彦
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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藤沢 浩訓
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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清水 勝
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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丹生 博彦
兵庫県立大学大学院工学研究科 電気系工学専攻:姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻
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Shimizu M
Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center
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Shimizu Mitsuaki
Power Electronics Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
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Shimizu Masahiro
Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation
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Fujisawa Hironori
Department Of Electrical Electronic And Computer Engineering Graduate School Of Engineering Hitneji
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Shimizu M
Tokyo Inst. Technology Yokohama
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Shimizu M
Tokyo Univ. Agriculture & Technol. Koganei
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Mitsugi Satoshi
Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology
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藤沢 浩訓
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
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Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
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岡庭 守
姫路工業大学大学院工学研究科
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舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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Fujisawa Hironori
Graduate School Of Engineering University Of Hyogo
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野々村 哉
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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本田 耕一郎
富士通研究所
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松田 哲郎
姫路工業大学
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野々村 哉
姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻
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本田 耕一郎
富士通研
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高井 宗三
姫路工業大学
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中嶋 誠二
姫路工業大学工学部電子工学科
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高井 宗三
姫路工業大学工学部電気工学教室
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Funakubo H
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
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丹生 博彦
姫路工大工
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松岡 裕益
姫路工業大学工学部電子工学科
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前田 宗雄
姫路工業大学
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木村 三郎
大阪工業技術試験所
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村田 周平
姫路工業大学工学部電子工学科
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板東 達也
姫路工業大学工学部電子工学科
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八木 達也
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学
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丹生 博彦
姫路工大
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岡庭 守
姫路工業大学工学部電子工学科
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高井 宗三
姫路工大
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丹生 博彦
姫路工業大学電子工学教室
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高井 宗三
姫路工業大学電子工学教室
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前田 宗雄
姫路工業大学電子工学教室
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松田 哲郎
姫路工業大学電子工学教室
著作論文
- MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御(新型不揮発性メモリー)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3極薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)0_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- I層にMgOを用いたMIS及びMFIS構造の作製とその評価
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)0_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と核付けが及ぼす効果
- 圧電応答顕微鏡による強誘電体Pb(Zr,Ti)O_3薄膜の分極反転過程の観察(半導体エレクトロニクス)
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜を用いたMFIS構造における絶縁体膜の検討 : C-V 及び DLTS法による界面準位密度の測定
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜を用いたMFIS構造における絶縁体膜の検討 : C-V及びDLTS法による界面準位密度の測定
- MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜の電気的特性のグレインサイズ依存性
- MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜の電気的特性のグレインサイズ依存性
- マイクロ波励起酸素プラブマによるSi上のAl膜の酸化
- マイクロ波励起酸素/窒素混合プラズマによるAl被覆Siの酸化