藤沢 浩訓 | Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
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概要
関連著者
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藤沢 浩訓
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
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Fujisawa Hironori
Department Of Electrical Electronic And Computer Engineering Graduate School Of Engineering Hitneji
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Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
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Shimizu M
Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center
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Mitsugi Satoshi
Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology
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Shimizu Mitsuaki
Power Electronics Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
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Shimizu M
Tokyo Univ. Agriculture & Technol. Koganei
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Shimizu Masahiro
Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation
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Funakubo H
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
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Shimizu M
Tokyo Inst. Technology Yokohama
著作論文
- Direct Crystallization and Characterization of Bi_3TiTaO_9 Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御(新型不揮発性メモリー)
- 強誘電体ナノワイヤ及びナノアイランドの自発分極に関する研究 (平成21年度研究報告)
- ナノ強誘電体の基礎物性 : 現状と将来展望
- PbTiO_3- and Pb(Zr,Ti)O_3-Covered ZnO Nanorods
- MOCVD法によるPbTiO_3ナノ島作製とその強誘電性
- 24pYE-6 圧電応答顕微鏡でみる分域像(強誘電体分域の測定法の新展開と新しい分域像,シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- MOCVD法によるナノサイズ強誘電体の作製とその物性
- 19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性(新型不揮発性メモリ)