舟窪 浩 | 東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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概要
関連著者
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舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
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舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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Funakubo H
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
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舟窪 浩
東工大院総合理工学研究科
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舟窪 浩
東京工大 工
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Shimizu Masahiro
Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Shimizu M
Advanced Industrial Science And Technology (aist) Power Electronics Research Center
-
Mitsugi Satoshi
Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology
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Shimizu Mitsuaki
Power Electronics Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
-
Shimizu M
Tokyo Inst. Technology Yokohama
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船窪 浩
東京工業大学工学部無機材料工学科
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水谷 惟恭
東京工業大学
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Funakubo Hiroshi
Department Of Innovative And Engineered Materials Interdisciplinary Graduated School Of Science And
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篠崎 和夫
東京工業大学工学部無機材料工学科
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篠崎 和夫
東京工業大学大学院理工学研究科
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FUNAKUBO Hiroshi
Department of Innovative and Engineered Materials, Interdisciplinary Graduate School, Tokyo Institut
-
丹生 博彦
兵庫県立大学大学院工学研究科 電気系工学専攻:姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻
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Funakubo Hiroshi
Department Of Innovative And Engineered Materials
-
藤沢 浩訓
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
-
清水 勝
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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舟窪 浩
東京工業大学総合理工学科学研究所
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SAITO Keisuke
Application Laboratory
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
丹生 博彦
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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清水 勝
兵庫県立大学大学院 工学研究科
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藤沢 浩訓
兵庫県立大学大学院 工学研究科
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木枝 暢夫
東京工業大学工学部無機材料工学科
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Saito Keisuke
Application Laboratory Analytical Division Philips Japan Ltd.
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Saito K
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Saito Kenichi
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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渡辺 隆之
東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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岡庭 守
姫路工業大学大学院工学研究科
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KANEKO Satoru
Kanagawa Industrial Technology Research Institute
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中山 誠
東京工業大学精密工学研究所
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高橋 健治
東京工業大学総合理工学研究科
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本田 耕一郎
富士通研究所
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加藤 誠軌
東京工業大学工学部無機材料工学科
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斎藤 啓介
日本フィリップス アプリケーションラボラトリー
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本田 耕一郎
富士通研
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徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
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徳光 永輔
東北大学電気通信研究所
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加藤 誠軌
東京工業大学
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今下 勝博
東京工業大学工学部無機材料工学科
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AKIYAMA Kensuke
Kanagawa Industrial Technology Research Institute
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OHYA Seishiro
Kanagawa Industrial Technology Research Institute
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石原 宏
東京工業大学
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野口 祐二
東大先端研
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宮山 勝
東大先端研
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WATANABE Takayuki
Department of Innovative and Engineered Materials, Interdisciplinary Graduate School, Tokyo Institut
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鈴木 利昌
太陽誘電
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桜井 修
東京工業大学工学部無機材料工学科
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藤本 正之
太陽誘電株式会社
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野々村 哉
姫路工業大学大学院工学研究科電気系工学専攻
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長田 実
物質・材料研究機構 ナノスケール物質センター
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山田 智明
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
-
山田 智明
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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吉本 護
東京工業大学応用セラミックス研究所
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酒井 朋裕
東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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長田 実
科学技術振興事業団 さきがけ研究21
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日野 史郎
東京工業大学精密工学研究所
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藤沢 浩訓
姫路工大・工学研究科
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清水 勝
姫路工大・工学研究科
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野々村 哉
姫路工業大学大学院工学研究科 電気系工学専攻
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野口 祐二
東京大学先端科学技術研究センター
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石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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藤本 正之
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
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藤本 正之
太陽誘電(株)ワイヤレスインフォメーションネットワークグループ先端材料デバイス部
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鈴木 利昌
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
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石川 勝之
東工大
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藤本 正之
太陽誘電 R&dセ
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SAITO Keisuke
BRUKER AXS K.K.
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日置 毅
東京工業大学工学部無機材料工学科
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大津 雅人
東京工業大学工学部無機材料工学科
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桜井 修
東京工業大学大学院材料工学専攻
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Shimizu Yoshitada
Kanagawa Industrial Technology Research Institute
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小林 幹雄
東京工業大学工学部無機材料工学科
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ITO Takeshi
Kanagawa Industrial Technology Research Institute
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YUASA Hiroyasu
Kanagawa Industrial Technology Research Institute
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MITSUHASHI Masahiko
Kanagawa Industrial Technology Research Institute
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OKAMOTO Shoji
Department of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology
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徳光 永輔
東北大学 電気通信研究所
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神保 武人
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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佐野 春行
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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額賀 紀全
東京工業大学総合理工学研究科
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三矢 昌俊
東京工業大学総合理工学研究科
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ARATANI Masanori
Department of Innovative and Engineered Materials, Interdisciplinary Graduate School of Science and
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NAGASHIMA Kuniharu
Department of Innovative and Engineered Materials, Interdisciplinary Graduate School of Science and
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TAKAHASHI Kenji
Department of Radiological Life Sciences, Hirosaki University Graduate School of Health Sciences
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寺山 清志
富山大学大学院理工学研究部(工学)
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宮山 勝
東京大学生産技術研究所
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UCHIDA Hiroshi
Department of Materials and Life Sciences, Sophia University
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内田 寛
国立小児病院小児衣料研究センター感染症研究部
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Kimura Takeshi
Department of Cardiovascular Medicine, Kyoto University Hospital
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佐伯 淳
東京工業大学工学部無機材料工学科
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岡田 勲
上智大学理工学部
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鈴木 利昌
太陽誘電株式会社
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西 湯二
太陽誘電株式会社
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藤本 正之
太陽誘電(株)
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石河 睦生
東京工業大学
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水谷 惟恭
国立東京高等工業専門学校
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中村 吉伸
東大新領域
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中村 吉伸
東大院新領域
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三木 一司
物材機構
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坂田 修身
(財)高輝度光科学研究センター
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渡辺 和人
都立産技高専
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坂田 修身
JASRI
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山崎 貴司
富士通研究所
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小高 康稔
富士通研究所
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三木 一司
電総研
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舟窪 浩
東工大総理工
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北本 仁孝
東京工業大学
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近藤 正雄
富士通研
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小嶌 隆志
東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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野口 祐二
東京大学 生産技術研究所
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宮山 勝
東京大学 生産技術研究所
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飯島 高志
独立行政法人産業技術総合研究所 スマートストラクチャー研究センター
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松田 弘文
独立行政法人産業技術総合研究所 スマートストラクチャー研究センター
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内田 寛
上智大学 理工学部 化学科
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岡田 勲
上智大学 理工学部 化学科
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伊佐 寛
東京工業大学応用セラミックス研究所
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佐々木 敦
東京工業大学応用セラミックス研究所
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野口 祐二
東京大学生産技術研究所
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宮山 勝
東京大学 先端科学技術研究センター
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岡田 勲
上智大学理工学部化学科
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佐伯 淳
東京工業大学総合分析支援センターx線分析室
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山崎 貴司
東理大理
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渡辺 和人
産業技術高専
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藤沢 浩訓
兵庫県大
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清水 勝
兵庫県大
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丹生 博彦
兵庫県立大学大学院工学研究科 電気系工学専攻
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丹生 博彦
姫路工大・工学研究科
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吉本 護
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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小高 康稔
東大工
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篠崎 和夫
東京工大 大学院理工学研究科
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坂田 修身
Jst-crest:高輝度光科学研
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坂田 修身
高輝度光科学研究センター
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坂田 修身
Spring-8 Jasri
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坂田 修身
財団法人 高輝度光科学研究センター
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西 湯二
太陽誘電(株)
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Osada M
Presto Japan Science And Technology Corporation (jst)
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Katoda Takashi
Dep. Of Electronic And Photonic Systems Engineering Kochi Univ. Of Technol.
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
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三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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永井 正幸
武蔵工業大学
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車 声雷
TDK(株)材料・プロセス技術開発センター
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中村 将志
千葉大学大学院工学研究科
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中村 将志
Department of Applied Chemistry and Biotechnology, Graduate School of Engineering, Chiba University
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近藤 正雄
富士通株式会社
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Osada Minoru
Presto Japan Science And Technology Corporation (jst)
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Uchida H
Department Of Chemistry Faculty Of Science And Technology Sophia University
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坂田 修身
(財)高輝度光科学研究センター(jasri/spring-8)
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小田原 修
東京工業大学
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Saito K
Application Laboratory Analytical Department Philips Japan Ltd.
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北本 仁孝
東京工大 大学院総合理工学研究科
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北本 仁孝
東京工業大学・大学院総合理工学研究科・物質科学創造専攻
-
Sakai Tomohiro
Department Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Institute Of Technology
-
Sakai Tomohiro
Department Of Innovative And Engineered Materials Interdisciplinary Graduate School Of Science And E
-
Kimura Takeshi
Department Of Cardiology Kobe City Medical Center General Hospital
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斎藤 啓介
ブルカーエイエックスエス株式会社アプリケーションラボラトリ
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黒澤 利行
ブルカーエイエックスエス株式会社
-
植木 定雄
ブルカーエイエックスエス株式会社
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YOKOYAMA Shintaro
Department of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology
-
内田 寛
国立小児病院小児医療研究センター
-
寺山 清志
富山大学工学部
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メヌー ニコラス
東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
桑原 弥紀
東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
舟窪 浩
東工大工
-
車 声雷
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
赤井 孝夫
日本フィリップス株式会社
-
近藤 正雄
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
松山 勝美
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
逸見 博
秩父セメント(株)FC本部
-
中村 吉伸
東京大学工学部工業化学科
-
松田 元秀
東京都立大学工学部工業化学科
-
山本 浩貴
東京工業大学無機材料工学科
-
HIRABAYASHI Yasuo
Kanagawa Industrial Technology Research Institute
-
YASAKA Shinji
Kanagawa Industrial Technology Research Institute
-
FUNAKUBO Hiroshi
Kanagawa Industrial Technology Research Institute
-
SAITO Keisuke
Philips Japan, Ltd
-
坂田 修身
財団法人 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門
-
坂田 修身
高輝度光科学研究センター放射光研究所利用促進部門
-
藤澤 隆志
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
Watanabe Toshihide
Atr Adaptive Communications Research Laboratories:(present Address)nhk Science And Technical Researc
-
OGUNI Taku
Tokyo Polytechnic University
-
SEO Koichi
PANAlytical
-
SAWADA Yutaka
Tokyo Polytechnic University
-
YOSHIMOTO Mamoru
Department of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology
-
OKAMOTO Satoshi
Department of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology
-
KODA Seiichiro
Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Sophia University
-
Watanabe T
Department Of Innovative And Engineered Materials Interdisciplinary Graduate School Of Science And E
-
Takahashi Kenji
Department Of Orthopaedics Graduate School Of Medical Science Kyoto Prefectural University Of Medici
-
山崎 陽太郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
-
山崎 陽太郎
東京工業大学 大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
-
石川 勝之
東京工業大学総合理工学研究科物質科学創造専攻
-
ARATANI Masanori
Tohoku National Industrial Research Institute AIST
著作論文
- MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御(新型不揮発性メモリー)
- サイトエンジニアリングコンセプトを用いたBi_4Ti_3O_12基薄膜特性の設計
- a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
- 強誘電体ナノワイヤ及びナノアイランドの自発分極に関する研究 (平成21年度研究報告)
- ナノ強誘電体の基礎物性 : 現状と将来展望
- MOCVD法によるPbTiO_3ナノ島作製とその強誘電性
- 24pYE-6 圧電応答顕微鏡でみる分域像(強誘電体分域の測定法の新展開と新しい分域像,シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- MOCVD法によるナノサイズ強誘電体の作製とその物性
- 19aXC-4 HAADF STEM法を用いたSrTiO_3(100)/PbTiO_3強誘電体薄膜の原子構造組成解析(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性(新型不揮発性メモリ)
- 29pXH-2 自己組織化による強誘電体PbTiO_3ナノ構造の形成と構造制御(領域10シンポジウム : ナノスケール構造を利用した物質創製-材料種の枠を超えて)(領域10)
- 圧電応答顕微鏡による強誘電体薄膜の観察と評価
- 21pXC-7 圧電応答顕微鏡による強誘電体薄膜の分極反転過程の観察と評価
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)0_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- エピタキシャルSrBi_2Ta_2O_9薄膜の界面構造
- X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価
- 多次元検出器と高分解能X線回折装置を用いた薄膜材料解析
- X線回折逆格子空間マッピング法を用いた強誘電体薄膜中のドメイン構造の観察 (特集 強誘電体におけるドメインエンジニアリングの最新動向)
- 高密度強誘電体メモリ用のMOCVD合成Pb(Zr,Ti)O_3の高再現性作製のための(111)配向したSrRuO_3/Pt下部電極(非揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- ビスマス層状誘電体のナノレイヤー積層方向に見られる新規誘電特性
- 噴霧熱分解法による球状Pd単結晶粒子の合成プロセスにおける粒子内部構造の発達過程
- 半導性エピタキシャルBaTiO_3薄膜の合成とその電気的性質
- MOCVD法で(100)MgO基板上に合成したエピタキシャル成長PbTiO_3およびPZT皮膜内の残留ひずみ
- 水熱法により結晶化した単分散酸化チタン微粒子の形成性及び焼結性
- CVD法によるエピタキシャル成長PZT薄膜の析出条件
- (100)Pt/(100)MgO基板上へのPzT薄膜の合成とその性質
- 高速でエピタキシャル成長させたCVD Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の特徴
- CVD法で合成した窒化鉄-窒化チタン薄膜の微構造
- 研究技術動向の一断面
- Bi_2O_3を拡散したBaTiO_3BLコンデンサの粒界構造
- CVD法によるTaN_x-TiN薄膜の合成
- CVD法による窒化ニオブ薄膜の合成(2. 気相反応法)(新技術によるセラミックスの合成と評価(I))
- Epitaxial Yttria-stabilized Zirconia (YSZ) Film Deposited on Si(100) Substrate by YAG Laser
- Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_X Thin Film Deposition by Q-switched YAG Laser
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)0_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3薄膜の低温成長と特性の改善(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 巨大圧電性を目指したPb(Zr,Ti)O_3単結晶膜の作製
- ペロブスカイト構造酸化物の薄膜化技術の最新動向
- Effect of La substitution on Electrical Properties of Highly Oriented Bi_4Ti_3O_ Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Twin-Free Epitaxial Films Lateral Relation between YSZ(111) and Si(111)
- Strong Dependence on Thickness of Room-Temperature Dielectric Constant of (100)-Oriented Pb(Mg_Nb_)O_3 Epitaxial Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
- Epitaxial Growth of β-FeSi_2 on Single Crystal Insulator
- HfO_2のMOCVD成膜におけるH_20酸化剤の効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- C-11-6 交互供給 MOCVD 法によるゲート絶縁膜用 HfO_2 薄膜の作製と評価
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- c軸配向ビスマス層状化合物膜の誘電特性 (特集 エレクトロニクセラミックス薄膜)
- 強誘電体薄膜におけるサイトエンジニアリングコンセプト
- 強誘電体薄膜材料における非鉛化実現の可能性
- 新材料開発 サイトエンジニアリングコンセプトに基づくBi4Ti3O12基強誘電体の設計
- 高品質SrBi_2Ta_2O_9薄膜の低温合成と配向制御
- MOCVD法によるエピタキシャル成長SrBi_2Ta_2O_9薄膜の合成とその電気特性評価(化学的方法による機能性酸化物膜の合成)
- Preparation of Pb(Zr_x, Ti_)O_3 Thin Films by Source Gas Pulse-Introduced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- Improvement of Property of Pb(Zr_xTi_)O_3 Thin Film Prepared by Source Gas Pulse-Introduced Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- CVD法によるPb(Zr,Ti)O_3エピタキシャル薄膜の合成
- CVD法による窒化タンタル薄膜の合成とその析出機構
- 技術講演会 強誘電体薄膜研究の最先端における計測・制御
- 有機金属化学気相法による強誘電体メモリー薄膜作製 (特集 高機能を付与する成膜技術最前線) -- (開発事例編)
- 解説 高品質強誘電体薄膜の低温合成--パルスMOCVD法によるチタン酸ジルコン酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]薄膜の合成
- MOCVD法による強誘電体薄膜の形成 (〔機能材料〕創刊22周年特集 強誘電体メモリーの動向と展望)
- 液中レーザーアブレーションによるInPナノ粒子の作製
- 新規ペロブスカイト型ビスマス圧電体薄膜の作製とその特性評価