C-11-6 交互供給 MOCVD 法によるゲート絶縁膜用 HfO_2 薄膜の作製と評価
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-03
著者
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
舟窪 浩
東京工業大学総合理工学科学研究所
-
日野 史郎
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
中山 誠
東京工業大学精密工学研究所
-
高橋 健治
東京工業大学総合理工学研究科
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
徳光 永輔
東京工業大学
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