プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
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概要
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Sr及びTaのダブルアルコラートを原料に用いて溶液気化MOCVD法によりSrBi_2Ta_2O_9強誘電体薄膜を作製した。成膜温度、反応室圧力等の成膜条件を変化させ薄膜の組成制御を行い、400℃で成膜後、酸素雰囲気中750℃でポストアニールすることにより、強誘電性を有するSrBi_2Ta_2O_9薄膜を作製することができた。この時の残留分極、抗電界は2.0μC/cm^2、45kV/cmであった。また、成膜中にRFプラズマを印加して成膜温度の低温化を試みたが、sr/Ta比が化学量論組成に近づく400℃では結晶化は困難であった。そこで400℃で成膜後、酸素プラズマ中でアニールすることにより結晶化温度の低温化を試みた。RF出力150W、650℃の酸素プラズマアニールにより、強誘電性を有するSrBi_2Ta_2O_9薄膜を作製することができた。作製した膜の残留分極、抗電界は1.5μC/cm^2、45kV/cmであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-16
著者
-
石原 宏
東京工業大学
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
舟窪 浩
東京工業大学総合理工学科学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
-
石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
神保 武人
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
佐野 春行
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
徳光 永輔
東京工業大学
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