1T2C型強誘電体メモリの作製及び評価
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概要
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FET型の強誘電体メモリにおける保持特性の劣化を抑えるために、MOSFETのゲート電極に面積の等しい2つの強誘電体キャパシタを接続した1T2C型強誘電体メモリを提案し、強誘電体材料にSrBi_2Ta_2O_9を用いてメモリセルの作製を行った.様々なデバイスパラメータと、書き込み及び読み出し動作との関係について調査を行うとともに、デバイス構造についても改良を進めた結果、書き込まれたデータの違いによって最大で4桁近い読み出し電流比が得られた.さらに、保持特性に関しては1週間後においてもデータを読み出すことが可能であることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-07
著者
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