応用物理教育分科会に期待するもの

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2009-12-18

著者

• 石原 宏

  東京工業大学

• 石原 宏

  東京工業大学 大学院総合理工学研究科

• 石原 宏

  東京工大 大学院総合理工学研究科

関連論文

• Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (シリコン材料・デバイス)
• 人材育成
• 強誘電体を用いたニューロン素子とその結合システム
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 応用物理教育分科会に期待するもの
• 強誘電体メモリ技術
• エレクトロニクス実装学会設立十周年に寄せて(2)(社団法人エレクトロニクス実装学会十周年記念)
• 学会活動の充実に向けて
• トランジスタ型強誘電体メモリーの現状と展望
• 国立大学の法人化と「もの作り」研究室への期待
• トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
• トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
• 3次元IC技術の現状
• 導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長
• 次世代強誘電体メモリの研究開発
• 1T2C型強誘電体メモリにおけるデータディスターブの解析と低減法の提案(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
• 不揮発性強誘電体ラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析
• 1T2C型強誘電体メモリの作製及び評価
• C-12-36 1T2C型強誘電体メモリの周辺回路の設計
• FET型強誘電体メモリの現状
• FET型強誘電体メモリの現状
• C-12-33 強誘電体キャパシタシミュレーション支援LSIの設計
• 高誘電率/強誘電体ゲート絶縁膜の可能性
• 強誘電体ゲートトランジスタの動作原理と開発動向
• MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
• MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
• 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ(新型不揮発性メモリ)
• 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ
• プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
• プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
• MOSトランジスタの動作原理
• 強誘電体ゲートFETの現状と問題点
• 高誘電体・強誘電体薄膜のメモリデバイスへの応用
• 息の長い研究
• 強誘電体薄膜のニューロデバイスへの応用
• どこまで速くなるか? トランジスタの動作速度
• FET型強誘電体メモリの現状
• 巻頭言 : "会長退任にあたって"
• 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ)
• 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構
• 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• MFIS用Al_2O_3/Si_3N_4バッファー層
• 原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
• ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_薄膜の作製とMFMIS構造への応用
• SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
• SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
• MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
• MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• 総論 (集積化技術と配線,電極材料)
• 半導体プロセス技術の動向 (半導体プロセスと電気化学-1-)
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリクスのSOI基板上への作製
• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• 強誘電体ゲートFETの作製とニューロン回路への応用
• 強誘電体薄膜の半導体基板上への形成とニューロデバイスへの応用
• ビ-ムアニ-リング (半導体ビ-ムプロセス技術)
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
• アジア太平洋物理学会連合(AAPPS)定期総会(OGM)及び新理事会参加報告
• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• 強誘電体を用いた適応学習型ニューロデバイスの提案と薄膜の基礎特性
• 応用物理系英文ジャーナルの話題

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク