ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_<12>薄膜の作製とMFMIS構造への応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年、次世代の不揮発性メモリとして強誘電体メモリの開発が望まれている。今回我々はソルゲル法により(Bi,La)_4Ti_3O_<12>(BLT)薄膜の作製を行い、その特性を評価した。BLT薄膜のBiをLa置換することにより、結晶化温度の低減、及び電気特性の向上が確認された。またLa置換量0.75の試料においてBi過剰量の最適化を行うことによって、良好な電気特性(Pr=15μC/cm^2、Ec=100kV/cm)を持つBLT薄膜が得られた。さらに、強誘電体ゲートFETへの応用を目的に、BLT薄膜を用いてMFMISダイオードを作製し、良好な電気特性を得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-05
著者
-
石原 宏
東京工業大学
-
徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
-
石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
徳光 永輔
東京工業大学
-
磯辺 武揚
東京工業大学精密工学研究所
-
木島 健
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
関連論文
- Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (シリコン材料・デバイス)
- 人材育成
- ゾルゲル法によるZrO_2、SrZrO_3薄膜の作製と評価
- MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 強誘電体を用いたフレキシブル・ロジックゲート
- 強誘電体を用いたフレキシブル・ロジックゲート
- C-11-4 強誘電体を制御キャパシタに用いたニューロンMOSインバータ
- 強誘電体を用いたニューロン素子とその結合システム
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 応用物理教育分科会に期待するもの
- 強誘電体メモリ技術
- 学会活動の充実に向けて
- トランジスタ型強誘電体メモリーの現状と展望
- 国立大学の法人化と「もの作り」研究室への期待
- トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
- トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
- 3次元IC技術の現状
- 導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長
- 次世代強誘電体メモリの研究開発
- 1T2C型強誘電体メモリにおけるデータディスターブの解析と低減法の提案(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 不揮発性強誘電体ラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析
- 1T2C型強誘電体メモリの作製及び評価
- C-12-36 1T2C型強誘電体メモリの周辺回路の設計
- FET型強誘電体メモリの現状
- FET型強誘電体メモリの現状
- C-12-33 強誘電体キャパシタシミュレーション支援LSIの設計
- 高誘電率/強誘電体ゲート絶縁膜の可能性
- 強誘電体ゲートトランジスタの動作原理と開発動向
- MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
- MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
- 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ(新型不揮発性メモリ)
- 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ
- (Bi,Nd)_4Ti_3O_/HfO_2/Si(100)構造の作製と評価(新型不揮発性メモリー)
- C-11-9 共沸硝酸酸化 SiO_2 の強誘電体ゲートトランジスターバッファ層への応用
- C-10-4 酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタにおけるメモリ特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- HfO_2のMOCVD成膜におけるH_20酸化剤の効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- C-11-6 交互供給 MOCVD 法によるゲート絶縁膜用 HfO_2 薄膜の作製と評価
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- 強誘電体(Bi,La)_4Ti_3O_12薄膜と高容量バッファ層を用いたMFMIS構造の作製と評価
- SSDM2001, 国際固体素子・材料コンファレンス
- MOSトランジスタの動作原理
- 強誘電体ゲートFETの現状と問題点
- 高誘電体・強誘電体薄膜のメモリデバイスへの応用
- 息の長い研究
- 強誘電体薄膜のニューロデバイスへの応用
- どこまで速くなるか? トランジスタの動作速度
- FET型強誘電体メモリの現状
- 巻頭言 : "会長退任にあたって"
- 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ)
- 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 減圧仮焼成プロセスを用いたBLT強誘電体薄膜の大幅特性向上(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- MFIS用Al_2O_3/Si_3N_4バッファー層
- ダメージフリーのSi基板直接窒化技術を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成 (特集 新材料・新プロセスによる半導体薄膜形成技術--銅配線,Low-k,High-k,CMPの最新動向を探る)
- 原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
- Data Retention and Readout Degradation Properties of Pt/Sr_Sm_Bi_Ta_2O_9/HfO_2/Si Structure Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors
- ITOチャネルを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
- C-11-5 強誘電体ゲート絶縁膜によるITOチャネル薄膜トランジスタの大電荷制御(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
- ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ゾルゲル法により形成したBi_La_XTi_3O_(BLT)薄膜の表面層を利用した配向性・電気的特性制御(新型不揮発性メモリー)
- 強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果(半導体Si及び関連材料・評価)
- C-11-7 減圧仮焼成を用いたゾルゲル法による PZT 薄膜の作製と評価
- 強誘電体ゲートトランジスタ用SBT系材料の形成と評価
- ITOチャネル強誘電体ゲートFETの特性改善
- C-11-2 Sr_Bi_Ta_2O_9,Sr_Sm_Bi_Ta_2O_9を用いたMFMIS構造FETの評価(C-11.シリコン材料・デバイス)
- C-11-1 ゾルゲル法により形成したSr_Sm_Bi_Ta_2O_9(SSBT)薄膜の酸素流量依存性(C-11.シリコン材料・デバイス)
- C-11-9 スプリットゲート構造を有する強誘電体ゲートトランジスタ
- ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_薄膜の作製とMFMIS構造への応用
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリクスのSOI基板上への作製
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- 強誘電体ゲートFETの作製とニューロン回路への応用
- 強誘電体薄膜の半導体基板上への形成とニューロデバイスへの応用
- ビ-ムアニ-リング (半導体ビ-ムプロセス技術)
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
- アジア太平洋物理学会連合(AAPPS)定期総会(OGM)及び新理事会参加報告
- 極薄膜成長技術
- 湿式と乾式, どつち?
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- 強誘電体を用いた適応学習型ニューロデバイスの提案と薄膜の基礎特性
- Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 半導体におけるキャリヤ濃度の飽和現象
- Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いた SiC-MOSFET の作製と評価
- 応用物理系英文ジャーナルの話題