ゾルゲル法により形成したBi_<4-X>La_XTi_3O_<12>(BLT)薄膜の表面層を利用した配向性・電気的特性制御(新型不揮発性メモリー)

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概要

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近年,強誘電体メモリ(FeRAM)は,不揮発性,低消費電力,高速動作が可能なメモリとして注目されている。その中で,Bi_<4-X>La_XTi_3O_<12>(BLT)は、大きな残留分極を持ち、分極疲労特性に優れ、低温での結晶化が可能であることからFeRAM用材料として盛んに研究されている。本研究では、BLT薄膜に着目し、ゾルゲル法における結晶化アニール前の表面層状態を変化させることにより配向性・電気的特性の制御を試みた。表面層にプラズマ処理を行うことにより、c軸結晶粒の成長が抑制され、それに伴う残留分極量(Pr)の増加を確認した。また表面層の組成を意図的に変化させたときにも、同様にc軸結晶粒の抑制とPrの増加を確認し、新しい配向性及び電気特性の制御の手法を提案した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-03-10

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