強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
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概要
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残留分極が小さく、抗電界が大きい新規強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9 (SSBT)とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層に用いて、金属/強誘電体/絶縁体/半導体(MFIS)および金属/強誘電体/金属/絶縁体/半導体(MFMIS)からなる強誘電体ゲート構造を作製し、電気的特性を評価した。 MFIS構造では、SSBTを用いた方が従来からのSBTを用いた場合より大きなメモリウィンドウが得られたが、理論値には達していない。これはSSBT膜形成中に酸素拡散によりSiO_2層が形成されたためである。一方、浮遊電極を挿入したMFMIS構造では、5V掃引時においても2Vと大きなメモリウィンドウが得られ、この値は理論値とも一致した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-25
著者
-
石原 宏
東京工業大学
-
藤崎 芳久
日立製作所中央研究所
-
石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
徳光 永輔
東北大学電気通信研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
藤崎 芳久
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
貴志 真士
東京工業大学精密工学研究所
-
井関 邦江
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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