MFIS用Al_2O_3/Si_3N_4バッファー層
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概要
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高い耐酸化性を有するN_2ラジカル窒化膜をバッファー層としたAl_2O_3/Si_3N_4複合膜を作製し、Al_2O_3膜厚3.5nmで比誘電率9.76を実現した。この時Si_3N_4/Si界面は劣化することなくラジカル窒化膜の高い耐酸化性が示された。ほぼ同じ容量密度を持つAl_2O_3/Si_3N_4膜とSi_3N_4単層膜を絶縁層とするMISダイオードのリーク特性を比較し、Al_2O_3/Si_3N_4多層膜では最大約5桁のリーク電流密度の低減が実現した。このAl_2O_3/Si_3N_4複合膜が強誘電体MFIS (Metal Ferroelectric Insulator Semiconductor)構造に適したプロセス耐性を有するバッファー層であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-05
著者
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