藤崎 芳久 | 日立製作所中央研究所

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概要

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関連著者

• 藤崎 芳久

  日立製作所中央研究所

• 石原 宏

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 石原 宏

  東京工業大学

• 笹子 佳孝

  日立製作所中央研究所

• 峰 利之

  日立製作所 中央研究所

• 峰 利之

  (株)日立製作所中央研究所

• 木下 勝治

  日立製作所中央研究所

• 峰 利之

  日立製作所中央研究所

• 島 明生

  日立製作所デバイス開発センタ

• 島 明生

  日立製作所中央研究所

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 鳥居 和功

  日立・中研

• 鳥居 和功

  日立製作所 中央研究所

• 笹子 佳孝

  (株)日立製作所 中央研究所

• 森川 貴博

  日立製作所中央研究所

• 黒土 健三

  日立製作所中央研究所

• 半澤 悟

  日立製作所中央研究所

• 守谷 浩志

  日立製作所機械研究所

• 高浦 則克

  日立製作所中央研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学 精密工学研究所

• Lee Gwang-Geun

  東京工業大学精密工学研究所

• Yoon Sung-Min

  Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI)

• Yoon Joo-Won

  東京工業大学総合理工学研究科

• 徳光 永輔

  東京工業大学精密工学研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター

• 藤崎 芳久

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 井関 邦江

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 峯邑 浩行

  (株)日立製作所中央研究所

• 田井 光春

  日立製作所

• 田井 光春

  (株)日立製作所中央研究所

• 久米 均

  日立製作所中央研究所

• Yoon Sung-min

  Etri

• 徳光 永輔

  東北大学電気通信研究所

• 峯邑 浩行

  日立製作所中央研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学

• 貴志 真士

  東京工業大学精密工学研究所

• 小林 孝

  日立製作所中央研究所

• 安齋 由美子

  日立製作所中央研究所

• 高濱 高

  日立製作所中央研究所

• 森本 忠雄

  日立製作所中央研究所

• 田井 光春

  日立製作所中央研究所

• 草場 壽一

  日立製作所中央研究所

• 與名本 欣樹

  日立製作所横浜研究所

• 峯邑 浩行

  株式会社日立製作所中央研究所

• 糸賀 敏彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 横山 夏樹

  日立製作所中央研究所

• 横山 夏樹

  日立製作所 中央研究所

• 加賀 徹

  日立製作所中央研究所

• 茂庭 昌弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 三木 浩史

  (株)日立製作所中央研究所ULSI研究所

• 庄司 健一

  日立製作所 中央研究所

• 川上 博士

  日立製作所 中央研究所

• 組橋 孝生

  日立製作所 中央研究所

• 糸賀 敏彦

  日立製作所 中央研究所

• 茂庭 昌弘

  日立製作所 中央研究所

• 三木 浩史

  (株)日立製作所 中央研究所

• 三木 浩史

  日立製作所中央研究所

• 石原 宏

  東工大フロンティア研

• 藤崎 芳久

  東工大フロンティア研

• 井関 邦江

  素子協

• 加賀 徹

  日立製作所 中央研究所

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著作論文

• 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
• 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
• 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 一括加工による強誘電体キャパシタの形成とその特性
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 不揮発性半導体メモリー技術の現状
• ULSI用MOCVD-PZT薄膜の形成と電気特性
• 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 湿式と乾式,どっち? (〔表面技術協会〕50周年記念増刊号 夢を語る) -- (エレクトロニクス)
• 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ)
• 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構
• 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• 減圧仮焼成プロセスを用いたBLT強誘電体薄膜の大幅特性向上(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
• MFIS用Al_2O_3/Si_3N_4バッファー層
• ダメージフリーのSi基板直接窒化技術を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成 (特集 新材料・新プロセスによる半導体薄膜形成技術--銅配線,Low-k,High-k,CMPの最新動向を探る)
• 原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
• 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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