木下 勝治 | 日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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木下 勝治
日立製作所中央研究所
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笹子 佳孝
日立製作所中央研究所
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峰 利之
日立製作所 中央研究所
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峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
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峰 利之
日立製作所中央研究所
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島 明生
日立製作所デバイス開発センタ
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黒土 健三
日立製作所中央研究所
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島 明生
日立製作所中央研究所
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峯邑 浩行
(株)日立製作所中央研究所
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田井 光春
日立製作所
著作論文
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 4Fのポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ (集積回路)
- 4Fのポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ (シリコン材料・デバイス)
- 3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)