小林 孝 | (株)日立製作所中央研究所

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関連著者

• 小林 孝

  (株)日立製作所中央研究所

• 笹子 佳孝

  日立製作所中央研究所

• 笹子 佳孝

  (株)日立製作所 中央研究所

• 倉田 英明

  (株)日立製作所 中央研究所

• 有金 剛

  (株)日立製作所中央研究所

• 倉田 英明

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• 有金 剛

  日立 中研

• 大津賀 一雄

  (株)日立製作所 中央研究所

• 小堺 健司

  (株)ルネサステクノロジ

• 野田 敏史

  (株)ルネサステクノロジ

• 河村 哲史

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• 久米 均

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• 久米 均

  日立製作所中央研究所

• 土屋 修

  ルネサステクノロジ

• 池田 良広

  (株)ルネサステクノロジ

• 古沢 和則

  (株)ルネサステクノロジ

• 清水 雅裕

  (株)ルネサステクノロジ

• 土屋 修

  (株)ルネサステクノロジ

• 森本 忠雄

  日立製作所中央研究所

• 峯邑 浩行

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐藤 聡彦

  (株)ルネサステクノロジ

• 田井 光春

  日立製作所

• 田井 光春

  (株)日立製作所中央研究所

• 峰 利之

  日立製作所 中央研究所

• 峰 利之

  (株)日立製作所中央研究所

• 木下 勝治

  日立製作所中央研究所

• 黒土 健三

  日立製作所中央研究所

• 島 明生

  日立製作所中央研究所

• 峯邑 浩行

  日立製作所中央研究所

• 峰 利之

  日立製作所中央研究所

• 島 明生

  日立製作所デバイス開発センタ

• 峯邑 浩行

  日立製作所研究開発本部ストレージ・テクノロジ研究センタ

• 小林 孝

  日立製作所中央研究所

• 高橋 俊和

  日立製作所中央研究所

• 安齋 由美子

  日立製作所中央研究所

• 森田 精一

  日立製作所中央研究所

• 高濱 高

  日立製作所中央研究所

• 田井 光春

  日立製作所中央研究所

• 峯邑 浩行

  株式会社日立製作所中央研究所

• 本間 和樹

  (株)ルネサステクノロジ

• 伊藤 輝彦

  (株)ルネサステクノロジ

• 佐伯 俊一

  日立デバイスエンジニアリング(株)

• 後藤 康

  (株)日立製作所中央研究所

• 木村 勝高

  (株)日立製作所中央研究所

• 加藤 正高

  (株)日立製作所中央研究所

• 足立 哲生

  (株)日立製作所中央研究所

• 後藤 康

  (株)日立製作所 中央研究所

• 加藤 正高

  (株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ

• 足立 哲生

  (株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ

• 矢野 和男

  (株)日立製作所中央研究所 システムLSI研究部

• 矢野 和男

  (株)日立製作所中央研究所

• 矢野 和男

  早大理工

• 鳴海 俊一

  ルネサステクノロジ

• 蒲原 史郎

  (株)日立製作所半導体グループ

• 奥山 裕

  (株)日立製作所中央研究所

• 森本 忠雄

  (株)日立超lsiエンジニアリング

• 橋本 孝司

  (株)日立製作所中央研究所 Ulsi 研究センター

• 田中 利広

  (株)日立製作所 半導体グループ

• 田中 利広

  (株)日立製作所中央研究所

• 田中 利広

  日立

• 関 浩一

  日立製作所中央研究所

• 関 浩一

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• 佐藤 聡彦

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• 石井 智之

  日立

• 村井 二三夫

  日立製作所 中央研究所

• 石井 智之

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• 村井 二三夫

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• 小林 孝

  (株)日立製作所中央研究所 Ulsi 研究センター

• 木下 勝治

  (株)日立製作所 中央研究所

• 奥山 裕

  日立製作所・中央研究所

• 須藤 敬己

  (株)日立製作所中央研究所

• 岸本 次郎

  (株)日立製作所半導体事業部

• 鳴海 俊一

  (株)日立製作所・中央研究所

• 吉田 敬一

  (株)日立製作所半導体事業部

• 土屋 修

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• 高瀬 賢順

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• 池田 良広

  (株)日立製作所半導体事業部

• 古沢 和則

  (株)日立製作所半導体事業部

• 伊澤 和人

  (株)日立製作所半導体事業部

• 吉竹 貴之

  (株)日立製作所半導体事業部

• 金光 道太郎

  (株)日立超LSIシステムズ

• 石井 智之

  日立製作所中央研究所

• 石井 智之

  神奈川工科大学情報学部

• 矢野 和男

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• 矢野 和男

  (株)日立製作所 中央研究所

• 笹子 佳孝

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  (株)日立製作所中央研究所

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著作論文

• AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
• 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
• 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 10MB/s多値高速書込み実現のための1Gb AG-AND型フラッシュメモリセルデバイス技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
• コンテンツ配信用ギガスケールAG-AND型フラッシュメモリセル
• AND型フラッシュメモリの動向
• AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 0.4μm^2自己整合AND型フラッシュメモリセル技術(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
• 1GビットAG-ANDフラッシュメモリの開発 : 多値方式における書き込み高速化技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
• 室温動作単一電子メモリーおよびトランジスタ
• 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 大容量/高速ストレージを実現する3次元相変化メモリ(固体メモリ・媒体,一般)

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