1GビットAG-ANDフラッシュメモリの開発 : 多値方式における書き込み高速化技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
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概要
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新規AG-ANDセル、定電荷書き込み方式、4バンク同時書き込み機能などの高速化技術をもちいることにより1Gビットフラッシュメモリは多値方式で10MB/sの書き込み転送レートを実現。
- 2003-04-03
著者
-
倉田 英明
(株)日立製作所 中央研究所
-
鳴海 俊一
ルネサステクノロジ
-
土屋 修
ルネサステクノロジ
-
小林 孝
(株)日立製作所中央研究所
-
池田 良広
(株)ルネサステクノロジ
-
古沢 和則
(株)ルネサステクノロジ
-
倉田 英明
(株)日立製作所
-
岸本 次郎
(株)日立製作所半導体事業部
-
鳴海 俊一
(株)日立製作所・中央研究所
-
吉田 敬一
(株)日立製作所半導体事業部
-
土屋 修
(株)日立製作所半導体事業部
-
高瀬 賢順
(株)日立製作所半導体事業部
-
池田 良広
(株)日立製作所半導体事業部
-
古沢 和則
(株)日立製作所半導体事業部
-
伊澤 和人
(株)日立製作所半導体事業部
-
吉竹 貴之
(株)日立製作所半導体事業部
-
金光 道太郎
(株)日立超LSIシステムズ
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