1.8V動作AND型512Mbフラッシュメモリの回路設計 (<特集>メモリ・混載メモリ及びIC一般)

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概要

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携帯オーディオ等に使われるリムーバブルメディアに適した512Mbフラッシュメモリを開発した。0.18μm CMOSプロセス、および2bit/1cellの多値技術を用いて、チップ面積126.6mm^2を実現した。メモリセルは多値動作に適したAND型である。本論文では512Mbフラッシュメモリに適用した回路技術について報告する。まず、低電圧動作技術として、安定な内部電源電圧発生について説明する。次に、トータルシステムコスト削減技術について説明する。本技術は、セクタデータが消去されているかトレースする必要がないのでメモリシステム簡略化が可能である。
2001-04-05

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