32Mb AND型フラッシュメモリ

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概要

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• 3.3V単一電源の、AND型セルを用いた32Mbフラッシュメモリを開発した。全動作がすべてセクタ単位で行え、高効率の欠陥救済、容易な不良セクタ管理を可能とした。また、高速化と高集積化が同時に可能であることを活かし、シリアルセクター、ランダムバイトの2つのアクセスモードを持つ。1mS/セクタの高速消去・書込みは、パルス幅べき乗比印加方式で実現した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-05-26

著者

• 野副 敦史

  日立製作所デバイス開発センタ

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