3V単一電源フラッシュメモリのビット毎制御書換え方式の検討
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概要
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フラッシュメモリは、高集積性と不揮発性を兼ね備えたメモリでアリ、主要応用分野である小型形態機器では、低電圧・単一電源動作が必要となる。これに対して書換え動作にFowler-Nordheimトンネル現象を利用するメモリセルが提案されており、トンネル現象を利用することで外部電源電圧の3V単一化を図れる。しかし書込みを行う方式を採用している。本報告では、この一括書込みに最適な回路方式について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
久米 均
(株)日立製作所中央研究所
-
木村 勝高
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 利広
(株)日立製作所 半導体グループ
-
田中 利広
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 利広
日立
-
加藤 正高
(株)日立製作所中央研究所
-
足立 哲生
(株)日立製作所中央研究所
-
辻川 哲也
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
久米 均
日立製作所中央研究所
-
加藤 正高
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
-
足立 哲生
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
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