不揮発DRAM用高耐性・低電力回路技術
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概要
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強誘電体不揮発メモリを実現するにあたって、耐性の向上および消費電力の低減が重要な課題となっている。今回提案した小振幅デー夕線動作方式は、書換耐性を従来の不揮発DRAMに対して3桁程度向上できる。また、倍データ線リコール方式によりアレーの消費電力を従来の3分の1に低減できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-19
著者
-
木村 勝高
(株)日立製作所中央研究所
-
梶谷 一彦
日立製作所デバイス開発センタ
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
関口 知紀
株式会社日立製作所中央研究所
-
鳥居 和功
日立・中研
-
阪田 健
日立製作所中央研究所
-
関口 知紀
日立製作所中央研究所
-
藤澤 宏樹
日立製作所デバイス開発センタ
-
木村 勝高
日立製作所中央研究所
-
阪田 健
(株)日立製作所中央研究所
-
坂田 健
(株)日立製作所 中央研究所
-
関口 知紀
(株)日立製作所中央研究所
-
鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
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