0.5V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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低電力かつ高速な大容量DRAMアレイの実現に向け,低しきい値CMOSプリアンプを開発した。低しきい値CMOSプリアンプを適用したセンスアンプを用いることにより,データ線電圧が0.5Vのときのセンス時間を,従来プリアンプを適用したセンスアンプと比べ62%短くできた。また,ライトサイクル時に低しきい値CMOSプリアンプを一時的に活性化することにより,ライト時間を活性化しない場合と比べ72%短くできた。さらに,データ線電圧を0.8Vから0.5Vに低減することにより,アレイ動作電流を12%低減できた。
- 2010-04-15
著者
-
小田部 晃
(株)日立製作所 中央研究所
-
関口 知紀
(株)日立製作所システム開発研究所
-
秋山 悟
(株)日立製作所中央研究所
-
関口 知紀
(株)日立製作所中央研究所
-
柳川 善光
(株)日立製作所中央研究所
-
小田部 晃
(株)日立製作所中央研究所
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