書換え電流100μA,書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
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概要
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0.13μm,1.5V CMOS技術を用いて,混載向け512kB相変化メモリを試作した。既開発の低電力相変化メモリセルを混載ROMモジュールに適用するために,次の3つの回路技術を開発した。第一に,書換え回路技術として,メモリアレイ内のセンスアンプをライトバッファに用いて1bit毎に書換えを行うセンスアンプ・プリフェッチ・シリアル書換え方式とビット線電圧を二段階に切り替える二段階セット方式の組合せにより,書換え電流100μAにて書換え速度416kB/sを達成した。第二に,読出し回路技術として,高速化のための電荷転送ダイレクトセンス方式を用いることにより,16bitデータ読出し時のセンスアンプの消費電流を280μAに抑えながらアレイ内のデータ読出し時間を9.9nsに短縮した。第三に,テスト回路技術として,メモリアレイ内のリーク電流を低減する待機電圧制御方式を用いることにより,評価可能なメモリセル抵抗値の範囲を3MΩから33MΩまで拡大した。以上の回路技術により,低電力動作の混載向け相変化メモリを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-05
著者
-
小田部 晃
(株)日立製作所 中央研究所
-
松井 裕一
(株)日立製作所中央研究所
-
河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
-
半澤 悟
日立製作所中央研究所
-
高浦 則克
日立製作所中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
-
半澤 悟
(株)日立製作所中央研究所
-
北井 直樹
(株)日立超LSIシステムズ
-
松崎 望
(株)日立製作所中央研究所
-
高浦 則克
(株)日立製作所中央研究所
-
茂庭 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
-
小田部 晃
(株)日立製作所中央研究所
-
松井 裕一
(株)日立製作所 中央研究所
-
長田 健一
株式会社日立製作所
-
松崎 望
(株)日立製作所 中央研究所
-
長田 健一
(株)日立製作所 中央研究所
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