低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
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概要
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ポリSiダイオード駆動のクロスポイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8MA/cm^2以上と大きく、逆バイアスオフ電流が100A/cm^2以下と小さい選択素子ポリSiダイオードを低熱負荷プロセスで作製した。開発したポリSiダイオードにより、相変化メモリチップの面積縮小と低コスト化を実現するクロスポイント型4F^2相変化メモリセルのセット/リセット動作を可能にした。
- 2009-07-09
著者
-
笹子 佳孝
(株)日立製作所 中央研究所
-
笹子 佳孝
日立製作所中央研究所
-
久米 均
日立製作所中央研究所
-
峰 利之
日立製作所 中央研究所
-
峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
-
木下 勝治
日立製作所中央研究所
-
森川 貴博
日立製作所中央研究所
-
黒土 健三
日立製作所中央研究所
-
半澤 悟
日立製作所中央研究所
-
島 明生
日立製作所中央研究所
-
藤崎 芳久
日立製作所中央研究所
-
守谷 浩志
日立製作所機械研究所
-
高浦 則克
日立製作所中央研究所
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
鳥居 和功
日立・中研
-
峰 利之
日立製作所中央研究所
-
島 明生
日立製作所デバイス開発センタ
-
鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
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