化学増幅型レジストに及ぼす窒化シリコン膜表面水酸基の影響
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概要
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化学増幅型レジストが窒化シリコン膜上で引き起こすパターン形状異常の機構を解明するために、下地膜表面の性質が酸(レジスト中に露光によって発生)やレジストポリマーに及ぼす影響を調べた。種々の処理を行ったシリコンおよび窒化シリコン基板をXPS, AFM,および全反射型FTIRで分析した。その結果、窒化シリコン膜表面のSi-OH基が酸をトラップし、さらに、レジストポリマーとも結合することがわかった。このような性質はシリコン基板表面のSi-OHにはあまり見られなかった。窒化シリコン膜上のSi-OH基はパターン断面形状の異常の一因であると結論した。
- 1995-10-19
著者
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田中 稔彦
(株)日立製作所中央研究所
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峰 利之
日立製作所 中央研究所
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峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
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田中 稔彦
日立製作所中央研究所
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山中 良子
日立製作所 中央研究所
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服部 孝司
日立製作所 中央研究所
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峰 利之
日立製作所中央研究所
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