4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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ストレージ向け3次元縦チェインセル型相変化メモリ(Vertical Chain-Cell-Type Phase-Change Memory: VCCPCM)を作製した。開発したVCCPCMは次の3つの特徴を持つ。(1)複数積層したゲートにメモリホールを一括で形成するプロセスの適用によりプロセス工数が削減できる。(2)薄膜化可能な新相変化材料を用いることで、3次元フラッシュメモリの微細化限界以下のセルサイズを実現できる。(3)選択素子にポリシリコンダイオードを用いることで、セルファクタを4F^2に減少できる。これらの特徴により、VCCPCMの相対ビットコストは3次元フラッシュメモリと比較して0.2に低減可能である。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-26
著者
-
峯邑 浩行
(株)日立製作所中央研究所
-
笹子 佳孝
日立製作所中央研究所
-
田井 光春
日立製作所
-
田井 光春
(株)日立製作所中央研究所
-
峰 利之
日立製作所 中央研究所
-
峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
-
木下 勝治
日立製作所中央研究所
-
藤崎 芳久
日立製作所中央研究所
-
峯邑 浩行
日立製作所中央研究所
-
峰 利之
日立製作所中央研究所
-
島 明生
日立製作所デバイス開発センタ
-
小林 孝
日立製作所中央研究所
-
安齋 由美子
日立製作所中央研究所
-
高濱 高
日立製作所中央研究所
-
森本 忠雄
日立製作所中央研究所
-
田井 光春
日立製作所中央研究所
-
草場 壽一
日立製作所中央研究所
-
與名本 欣樹
日立製作所横浜研究所
-
峯邑 浩行
株式会社日立製作所中央研究所
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