招待講演 3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ (シリコン材料・デバイス)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
光ディスクにおけるPRML再生技術の動向と将来展望
-
多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
-
AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
-
多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
-
4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
-
10MB/s多値高速書込み実現のための1Gb AG-AND型フラッシュメモリセルデバイス技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
-
コンテンツ配信用ギガスケールAG-AND型フラッシュメモリセル
-
低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
-
低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
-
低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
-
高転送レートDVD-RAM
-
AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
-
4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
-
ジッタ特性の一考察
-
ジッタ特性の一考察
-
ジッタ特性の一考察
-
ジッタ特性の一考察
-
多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
-
相変化記録膜による50GB/side容量ライトワンスディスク(光記録・一般)
-
低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
-
2.5インチ相変化光ディスク
-
光ディスクの記録再生技術 : 非線形性の克服
-
光ディスクの記録再生技術 : 非線形性の克服(信号処理及び一般)
-
高転送レートDVD-RAM
-
低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
招待講演 3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ (シリコン材料・デバイス)
-
4Fのポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ (集積回路)
-
4Fのポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ (シリコン材料・デバイス)
-
3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
-
3次元積層を可能にする Poly-Si トランジスタ駆動の相変化メモリ
-
4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
-
多層BD記録学習向け信号品質評価回路の開発(LSI・集積回路および実装技術,デザインガイア2012-VLSI設計の新しい大地-)
-
多層BD記録学習向け信号品質評価回路の開発(LSI・集積回路および実装技術,デザインガイア2012-VLSI設計の新しい大地-)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク