低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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ポリシリコントランジスタ駆動の相変化メモリを作製した。チャネルシリコン上に相変化材料を直接成膜したメモリセル構造によって、従来の相変化メモリと比較してリセット電流を45μAまで低減できた。開発した相変化メモリはポリシリコントランジスタ駆動なので3次元積層が可能であり、リセット電流が低いため並列書込みによるデータ転送速度向上に適している。メモリセルごとのコンタクト孔が無いセル構造なのでセルサイズを4F^2に縮小できる上、必要なプロセス工程数も少ないので低コスト化に適している。開発した3次元積層可能な相変化メモリによって低ビットコスト化とギガバイト/秒の高速データ転送が実現可能になる。
- 2011-08-18
著者
-
峯邑 浩行
(株)日立製作所中央研究所
-
笹子 佳孝
日立製作所中央研究所
-
小林 孝
(株)日立製作所中央研究所
-
田井 光春
日立製作所
-
田井 光春
(株)日立製作所中央研究所
-
峰 利之
日立製作所 中央研究所
-
峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
-
木下 勝治
日立製作所中央研究所
-
黒土 健三
日立製作所中央研究所
-
島 明生
日立製作所中央研究所
-
峯邑 浩行
日立製作所中央研究所
-
峰 利之
日立製作所中央研究所
-
島 明生
日立製作所デバイス開発センタ
-
峯邑 浩行
日立製作所研究開発本部ストレージ・テクノロジ研究センタ
-
小林 孝
日立製作所中央研究所
-
高橋 俊和
日立製作所中央研究所
-
安齋 由美子
日立製作所中央研究所
-
森田 精一
日立製作所中央研究所
-
高濱 高
日立製作所中央研究所
-
森本 忠雄
日立製作所中央研究所
-
田井 光春
日立製作所中央研究所
-
峯邑 浩行
株式会社日立製作所中央研究所
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