AND型フラッシュメモリの動向
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概要
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フラッシュメモリは、高速読出し、不揮発性、電機的書換えが可能、さらに、耐振動、衝撃性に強いという特徴を備えた大容量のメモリである。その応用として、CPUから直接アクセスされるシステムバスに直結の内部記憶用途と、インターフェースを介してシステムバスに接続され、HDD等と等価な外部記憶装置としての用途がある。要求される性能は用途により異なり、内部記憶用途では高速ランダム読出し性能、外部記憶用途では低コストや512バイト程度の小書換え単位で、かつ、書込みと消去の単位が一致したセクタ書換え仕様の要求が強い。また、低電圧単一電源も必要となっている。本稿では、上記要求を満たすフラッシュメモリとその微細化技術について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
小林 孝
(株)日立製作所中央研究所
-
久米 均
(株)日立製作所中央研究所
-
佐藤 聡彦
(株)ルネサステクノロジ
-
木村 勝高
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 利広
(株)日立製作所 半導体グループ
-
田中 利広
(株)日立製作所中央研究所
-
田中 利広
日立
-
加藤 正高
(株)日立製作所中央研究所
-
足立 哲生
(株)日立製作所中央研究所
-
佐藤 聡彦
(株)日立製作所中央研究所
-
久米 均
日立製作所中央研究所
-
加藤 正高
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
-
足立 哲生
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
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