フラッシュメモリー技術
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
- 10MB/s多値高速書込み実現のための1Gb AG-AND型フラッシュメモリセルデバイス技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- コンテンツ配信用ギガスケールAG-AND型フラッシュメモリセル
- AND型フラッシュメモリの動向
- 3V単一電源フラッシュメモリのビット毎制御書換え方式の検討
- フラッシュメモリ信頼性におけるフローティングゲート形状の影響
- 3V単一電源フラシュメモリのワードデコーダ回路方式の検討
- 3V単一電源フラッシュメモリの書込みパルス幅べき乗比印加方式の検討
- 3V単一電源64Mビットフラッシュメモリ用AND型セル
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- 0.4μm^2自己整合AND型フラッシュメモリセル技術(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- フラッシュメモリー技術