多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
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概要
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多値高速書込みを実現する4ギガビットAG-AND型フラッシュメモリを90nmプロセスを用いて開発した。反転層をビット線として用いることでメモリセルを微細化し、ビット面積0.016μm^2とチップ面積126mm^2を実現した。また反転層抵抗の変化によるメモリ閾値の変動を抑制するため、アドレス補償方式と温度補償方式を適用し、多値レベルの高精度な制御を可能とした。さらに、セルフブースト方式とチャージシェア方式により、オーバーヘッド時間と素子間の特性ばらつきを抑制し、10MB/sの多値高速書込みを実現している。アクセス性能は、キャッシュリード機能を設けることで22MB/sを達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-04-07
著者
-
清水 雅裕
(株)ルネサステクノロジ
-
笹子 佳孝
(株)日立製作所 中央研究所
-
笹子 佳孝
日立製作所中央研究所
-
倉田 英明
(株)日立製作所 中央研究所
-
大津賀 一雄
(株)日立製作所 中央研究所
-
土屋 修
ルネサステクノロジ
-
小堺 健司
(株)ルネサステクノロジ
-
野田 敏史
(株)ルネサステクノロジ
-
有金 剛
(株)日立製作所中央研究所
-
河村 哲史
(株)日立製作所中央研究所
-
小林 孝
(株)日立製作所中央研究所
-
久米 均
(株)日立製作所中央研究所
-
本間 和樹
(株)ルネサステクノロジ
-
伊藤 輝彦
(株)ルネサステクノロジ
-
池田 良広
(株)ルネサステクノロジ
-
土屋 修
(株)ルネサステクノロジ
-
古沢 和則
(株)ルネサステクノロジ
-
久米 均
日立製作所中央研究所
-
倉田 英明
(株)日立製作所
-
有金 剛
日立 中研
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