土屋 修 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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土屋 修
(株)ルネサステクノロジ
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石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
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石川 清志
(株)ルネサステクノロジ
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土屋 修
株式会社ルネサステクノロジ
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石川 清志
ルネサステクノロジ
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清水 雅裕
(株)ルネサステクノロジ
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笹子 佳孝
(株)日立製作所 中央研究所
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倉田 英明
(株)日立製作所 中央研究所
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大津賀 一雄
(株)日立製作所 中央研究所
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土屋 修
ルネサステクノロジ
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小堺 健司
(株)ルネサステクノロジ
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野田 敏史
(株)ルネサステクノロジ
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有金 剛
(株)日立製作所中央研究所
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河村 哲史
(株)日立製作所中央研究所
-
小林 孝
(株)日立製作所中央研究所
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池田 良広
(株)ルネサステクノロジ
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古沢 和則
(株)ルネサステクノロジ
-
谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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岡垣 健
(株)ルネサステクノロジ
-
谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
-
永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
-
永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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笹子 佳孝
日立製作所中央研究所
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倉田 英明
(株)日立製作所
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有金 剛
日立 中研
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
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久米 均
(株)日立製作所中央研究所
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本間 和樹
(株)ルネサステクノロジ
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伊藤 輝彦
(株)ルネサステクノロジ
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佐藤 聡彦
(株)ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
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園田 賢一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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久米 均
日立製作所中央研究所
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栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
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永久 克己
(株)ルネサステクノロジ
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高篠 裕行
(株)ルネサステクノロジ
-
佃 栄次
(株)ルネサステクノロジ
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若原 祥史
(株)ルネサステクノロジ
-
園田 賢一郎
(株)ルネサステクノロジ
著作論文
- 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
- 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)