岡垣 健 | (株)ルネサステクノロジ
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
岡垣 健
(株)ルネサステクノロジ
-
谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
-
石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
-
谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
-
石川 清志
ルネサステクノロジ
-
内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
-
永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
-
石川 清志
(株)ルネサステクノロジ
-
土屋 修
株式会社ルネサステクノロジ
-
永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
-
林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
林 岳
(株)ルネサステクノロジ
-
土屋 修
(株)ルネサステクノロジ
-
高篠 裕行
(株)ルネサステクノロジ
-
佃 栄次
(株)ルネサステクノロジ
-
若原 祥史
(株)ルネサステクノロジ
-
小谷 教彦
広島国際大学 社会環境科学部
-
小谷 教彦
広島国際大学社会環境科学部
-
小谷 教彦
広島国際大 社会環境科学
-
国清 辰也
株式会社ルネサステクノロジ生産本部
-
三浦 道子
広島大学大学院先端物質科学研究科,HiSIM研究センター
-
鎌倉 良成
大阪大学工学部
-
谷口 研二
大阪大学工学部
-
土屋 修
ルネサステクノロジ
-
園田 賢一郎
株式会社ルネサステクノロジ
-
佃 栄次
ルネサステクノロジ株式会社
-
高篠 裕行
ルネサステクノロジ株式会社
-
岡垣 健
ルネサステクノロジ株式会社
-
内田 哲也
ルネサステクノロジ株式会社
-
林 岳
ルネサステクノロジ株式会社
-
永久 克己
ルネサステクノロジ株式会社
-
若原 祥史
ルネサステクノロジ株式会社
-
石川 清志
ルネサステクノロジ株式会社
-
井上 靖朗
ルネサステクノロジ株式会社
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
五十嵐 元繁
株式会社ルネサステクノロジ
-
永久 克己
(株)ルネサステクノロジ
-
国清 辰也
(株)ルネサステクノロジ
-
園田 賢一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
五十嵐 元繁
(株)ルネサステクノロジ
-
上野 弘明
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
谷口 研二
大阪大
-
田中 聖康
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Taniguchi K
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
-
岡垣 健
広島大学大学院先端物質科学研究所
-
三浦 道子
広島大学先端物質科学研究科
-
三浦 道子
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
三浦 道子
広島大学
-
Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
井上 靖朗
三菱電機(株)
-
谷沢 元昭
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
石川 清志
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
太田 和伸
ソニー株式会社
-
岡垣 健
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
国清 辰也
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
太田 和伸
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
網城 啓之
三菱電機(株)メモリー事業統括部
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
Taniguchi K
Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka
-
Taniguchi Kenji
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
-
石川 清志
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
著作論文
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Sub-100nm MOSFETにおけるソース/ドレイン電荷分配に対する弾道輸送キャリアの寄与
- Sub-100nm MOSFETにおけるソース/ドレイン電荷分配に対する弾道輸送キャリアの寄与