<110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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電子の有効ハミルトニアンから剪断歪みと量子閉じ込め現象を取り込んだモデルを提案。曲げ実験から65nmノードのストレスライナー窒化膜を用いたnMOSFETまでの広範囲にわたる解析をTCADにより行なった。これにより<110>方向が最適なチャネル方向であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-23
著者
-
林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
林 岳
(株)ルネサステクノロジ
-
内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
-
土屋 修
(株)ルネサステクノロジ
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
-
谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
-
石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
-
岡垣 健
(株)ルネサステクノロジ
-
谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
-
高篠 裕行
(株)ルネサステクノロジ
-
佃 栄次
(株)ルネサステクノロジ
-
永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
-
若原 祥史
(株)ルネサステクノロジ
-
石川 清志
(株)ルネサステクノロジ
-
土屋 修
株式会社ルネサステクノロジ
-
永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
-
石川 清志
ルネサステクノロジ
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