HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
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概要
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デュアルメタルゲートCMOS作製のためのプロセスについて検討する。第一電極除去には、ゲート絶縁膜との高い選択比を確保でき、かつゲート絶縁膜に対してダメージを与えないウェットエッチングプロセスを採用する。良好な電気特性を持ち、高信頼なゲート絶縁膜を得るために、TiN膜およびHfSiON膜ともに最適化が必要であることを示す。さらに、CMOSトランジスタを作製するための課題について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
-
林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
林 岳
(株)ルネサステクノロジ
-
吉村 秀文
(株)ルネサステクノロジ
-
米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
-
水谷 斉治
(株)ルネサステクノロジ
-
志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
-
由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
-
西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
-
志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
-
坂下 真介
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
東 雅彦
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
武島 豊
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
山成 真市
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
西田 征男
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
-
由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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