Si注入技術を用いたNiシリサイド形成領域制御によるnMOSFETの異常ゲートエッジリーク抑制
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概要
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- 2007-07-12
著者
-
堤 聡明
(株)ルネサステクノロジ
-
前川 和義
(株)ルネサステクノロジ
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柏原 慶一朗
(株)ルネサステクノロジ
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山口 直
(株)ルネサステクノロジ
-
浅井 孝祐
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
-
土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
-
工藤 修一
(株)ルネサステクノロジ
-
奥平 智仁
(株)ルネサステクノロジ
-
村田 直文
(株)ルネサステクノロジ
-
橋川 直人
(株)ルネサステクノロジ
-
浅井 考祐
(株)ルネサステクノロジ
-
児島 雅之
(株)ルネサステクノロジ
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前川 和義
ルネサス テクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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浅井 孝祐
株式会社ルネサステクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
土本 淳一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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