山口 直 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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山口 直
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(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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山下 朋弘
ルネサスエレクトロニクス株式会社 生産本部
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(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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山口 直
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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山本 芳樹
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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後藤 洋太郎
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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工藤 修一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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前川 和義
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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藤澤 雅彦
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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浅井 孝祐
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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山下 朋弘
ルネサスエレクトロニクス株式会社
著作論文
- 飛行時間型二次イオン質量分析によるNi_2Si-NiSi相変化の解析
- Si注入技術を用いたNiシリサイド形成領域制御によるnMOSFETの異常ゲートエッジリーク抑制
- 22nmノード以降のCMOSに向けた低抵抗かつ均質なNiPtシリサイド膜の低温マイクロ波アニールによる形成