22nmノード以降のCMOSに向けた低抵抗かつ均質なNiPtシリサイド膜の低温マイクロ波アニールによる形成
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概要
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- 2011-03-01
著者
-
川崎 洋司
(株)ルネサステクノロジ
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山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
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前川 和義
(株)ルネサステクノロジ
-
山口 直
(株)ルネサステクノロジ
-
浅井 孝祐
(株)ルネサステクノロジ
-
工藤 修一
(株)ルネサステクノロジ
-
浅井 考祐
(株)ルネサステクノロジ
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前川 和義
ルネサス テクノロジ
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浅井 孝祐
株式会社ルネサステクノロジ
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川崎 洋司
ルネサスエレクトロニクス(株)
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山下 朋弘
ルネサスエレクトロニクス株式会社 生産本部
-
土本 淳一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
山口 直
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
山本 芳樹
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
後藤 洋太郎
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
工藤 修一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
前川 和義
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
藤澤 雅彦
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
浅井 孝祐
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
山下 朋弘
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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