工藤 修一 | (株)ルネサステクノロジ

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• 工藤 修一

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• 前川 和義

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• 山口 直

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• 児島 雅之

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• 志賀 克哉

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 福本 晃二

  株式会社ルネサス テクノロジ 生産本部 ウェハプロセス技術統括部

• 川崎 洋司

  ルネサスエレクトロニクス(株)

• 山下 朋弘

  ルネサスエレクトロニクス株式会社 生産本部

• 土本 淳一

  (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部

• 山口 直

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山本 芳樹

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 後藤 洋太郎

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 工藤 修一

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 前川 和義

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 藤澤 雅彦

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 浅井 孝祐

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山下 朋弘

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

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著作論文

• 電子線トモグラフィーを用いたNiシリサイド(NiSi_x)の3D形状評価技術
• Si注入技術を用いたNiシリサイド形成領域制御によるnMOSFETの異常ゲートエッジリーク抑制
• 22nmノード以降のCMOSに向けた低抵抗かつ均質なNiPtシリサイド膜の低温マイクロ波アニールによる形成

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