志賀 克哉 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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水谷 斉治
(株)ルネサステクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
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辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
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吉村 秀文
(株)ルネサステクノロジ
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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土本 淳一
ルネサス テクノロジ
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
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嶋本 泰洋
(株)日立製作所中央研究所
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
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藤田 文子
(株)ルネサステクノロジ
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大西 和博
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
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熊谷 正夫
神奈川高度技術支援財団
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川崎 洋司
(株)ルネサステクノロジ
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山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
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堤 聡明
(株)ルネサステクノロジ
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前川 和義
(株)ルネサステクノロジ
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柏原 慶一朗
(株)ルネサステクノロジ
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山口 直
(株)ルネサステクノロジ
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浅井 孝祐
(株)ルネサステクノロジ
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西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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工藤 修一
(株)ルネサステクノロジ
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奥平 智仁
(株)ルネサステクノロジ
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村田 直文
(株)ルネサステクノロジ
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橋川 直人
(株)ルネサステクノロジ
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浅井 考祐
(株)ルネサステクノロジ
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児島 雅之
(株)ルネサステクノロジ
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前川 和義
ルネサス テクノロジ
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野村 幸司
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
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藤原 啓司
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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坂下 真介
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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東 雅彦
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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武島 豊
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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山成 真市
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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西田 征男
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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志賀 克哉
関西大・工
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横田 勝弘
関西大・工
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安藤 靖典
日新電機
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松田 耕自
日新電機
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渡辺 正則
イオン工学センター
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高木 俊宜
イオン工学センター
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高野 弘道
神奈川高度技術支援財団
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高木 俊宜
(株)イオン工学研究所
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浅井 孝祐
株式会社ルネサステクノロジ
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松田 耕自
日新電機(株)
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熊谷 正夫
神奈川産技セ
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高野 弘道
神奈川高速技術支援財団
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熊谷 正夫
神奈川産総研
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渡辺 正則
イオン工学研
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渡邉 正則
(株)イオン工学研究所
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横田 勝弘
関西大学工学部電子工学科
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土本 淳一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
著作論文
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- Si注入技術を用いたNiシリサイド形成領域制御によるnMOSFETの異常ゲートエッジリーク抑制
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Dual-core-SiON 技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜
- HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
- CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- シリコンへのリンとボロンの同時注入によるリンの拡散の抑制
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))