高野 弘道 | 神奈川高速技術支援財団
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概要
関連著者
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高野 弘道
神奈川高速技術支援財団
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横田 勝弘
関西大学工学部電子工学科
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高野 弘道
神奈川高度技術支援財団
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丹上 正安
日新電機
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熊谷 正夫
神奈川高度技術支援財団
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中村 和広
関西大学工学部
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横田 勝弘
関西大学工学部
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中村 和広
関西大学工学部専任講師
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熊谷 正夫
神奈川産技セ
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熊谷 正夫
神奈川産総研
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松田 耕自
日新電機
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松田 耕自
日新電機(株)
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寺田 耕一郎
関西大学工学部・HRC
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横田 勝弘
関西大・工
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渡辺 正則
イオン工学センター
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酒井 滋樹
日新イオン機器株式会社
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平井 清人
神奈川高度技術支援財団
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中瀬 周作
関西大学工学部
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西村 英敏
関西大学工学部・HRC
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酒井 滋樹
日新電機
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渡辺 正則
イオン工学研
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渡邉 正則
(株)イオン工学研究所
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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志賀 克哉
関西大・工
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安藤 靖典
日新電機
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高木 俊宜
イオン工学センター
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高木 俊宜
(株)イオン工学研究所
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細川 浩一
関西大・工
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永 浩介
関西大学工学部
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寺田 耕一郎
関西大・工
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高木 俊宣
イオン工学センター
著作論文
- シリコンへのリンとボロンの同時注入によるリンの拡散の抑制
- 水素ECRプラズマ処理による砒素注入されたシリコンの浅いN形層の形成
- ジボランとアルシンのイオン注入によるシリコンへの浅いp形とn形層の形成
- 水素稀釈したジボランイオンシャワー注入されたシリコン中の欠陥分布
- n形半導体表面に作る薄いp形半導体層の厚さを水素添加で制御する新しい技術
- シリコンへのジボランイオン注入における水素分子イオンのボロン分布への影響
- ジボランイオン注入によってシリコンに添加されたボロンの活性化