シリコンへのジボランイオン注入における水素分子イオンのボロン分布への影響
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概要
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ジボランを水素で稀釈した混合ガスをイオンソースとして用いて、非質量分離型のイオン注入器で、ボロンと水素が同時にシリコンにイオン注入された。注入直後のシリコン中のボロンの注入分布の分散は、主にジボランから分解した水素によって大きくなったけれども、稀釈に使った水素の量が増加しても大きくなった。熱処理後のシリコン中のボロン原子の拡散は、顕著に稀釈に使った水素量の増加と共に抑制された。さらに、ボロンの活性化は、ボロン原子の拡散より顕著に水素の量に依存し、水素の量の増加と共に浅い領域でしか活性化しなかった。なお、水素は熱処理されたシリコン中には残存していなかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-10
著者
-
熊谷 正夫
神奈川高度技術支援財団
-
中村 和広
関西大学工学部
-
横田 勝弘
関西大学工学部
-
高野 弘道
神奈川高度技術支援財団
-
酒井 滋樹
日新イオン機器株式会社
-
中村 和広
関西大学工学部専任講師
-
熊谷 正夫
神奈川産技セ
-
丹上 正安
日新電機
-
高野 弘道
神奈川高速技術支援財団
-
西村 英敏
関西大学工学部・HRC
-
寺田 耕一郎
関西大学工学部・HRC
-
酒井 滋樹
日新電機
-
熊谷 正夫
神奈川産総研
-
横田 勝弘
関西大学工学部電子工学科
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