シリコンの分子線エピタキシー(MBE)プロセスにおける基板のサーマルクリーニング温度の低温化
スポンサーリンク
概要
著者
-
中村 和広
関西大学工学部
-
横田 勝弘
関西大学工学部
-
中村 和広
関西大学工学部専任講師
-
中村 和広
関西大学ハイテクリサーチセンター
-
清水 博文
関西大学工学部電子工学科
-
横田 勝弘
関西大学工学部電子工学科
関連論文
- Compositional structure of dual TiNO layers deposited on SUS 304 by an IBAD technique
- Titanium oxy-nitride films deposited on stainless steel by an ion beam assisted deposition technique
- シリコン系材料による電子・光信号変換素子の開発ならびに製作 (産学連携への掛け橋)
- 電子線照射下におけるGaAs薄膜の分子線エピタキシャル成長
- シリコンへのリンとボロンの同時注入によるリンの拡散の抑制
- 水素ECRプラズマ処理による砒素注入されたシリコンの浅いN形層の形成
- n形基板シリコン太陽電池に関する理論的検討
- シリコンの分子線エピタキシー(MBE)プロセスにおける基板のサーマルクリーニング温度の低温化
- An effect of preheat-treatment on the formation of titanium-oxide films by sintering a titanium/silicon-oxide structure in an oxygen atmosphere
- Preparation of titanium-dioxide films on silicon by solid-state reaction between titanium and silicon-dioxide in oxygen
- Deposition of Titanium Oxide Films with High dielectric Constants on Silicon by an Ion Beam Assist Deposition Technique
- An Oxygen Ion Dose Dependence of Dielectric Constant and Surface Roughness of Titanium Oxide Films Deposited on Silicon by an Ion Beam Assisted Deposition Technique
- Preferential orientation of high permittivity TiO_2 deposited on Si wafers by an IBAD technique
- ジボランとアルシンのイオン注入によるシリコンへの浅いp形とn形層の形成
- 水素稀釈したジボランイオンシャワー注入されたシリコン中の欠陥分布
- n形半導体表面に作る薄いp形半導体層の厚さを水素添加で制御する新しい技術
- ステンレス表面の硬化 (産学連携への掛け橋)
- シリコンへのジボランイオン注入における水素分子イオンのボロン分布への影響
- ジボランイオン注入によってシリコンに添加されたボロンの活性化
- Si基板上にヘテロエピタキシャル成長したGaP層のひずみ評価
- イオンビーム法でGaAs基板上に成長させたGaAs薄膜のホトルミネッセンス
- イオンビーム法によるGaAs, 石英, ガラス基板上へのZnSe薄膜の成長
- イオンビーム法による絶縁基板上へのGa As薄膜の成長
- シリコンにひ素とボロンを同時イオン注入法によるひ素の電気的活性化率と拡散の抑制
- イオンビーム法で作製したZnとTe混合膜からのZnTeの固相成長
- 太陽電池を考える : 環境問題の観点から
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2(Te_Se_y)_3 : IX. 電気伝導とホール定数の温度特性 : 半導体 : 輸送
- 熱電物質(Bi_Sb_x)_2(Te_Se_y)_3 : VIII. 熱起電力係数と熱伝導度の温度変化 : 半導体 : 輸送