シリコンにひ素とボロンを同時イオン注入法によるひ素の電気的活性化率と拡散の抑制
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概要
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シリコンにひ素とボロンイオンを同じ斜射飛程になるようにして同時に注入後、950℃で30-300分間熱処理すると、ひ素とボロンは化学的に結合して複合体(BAs_2)^-を作った。この複合体の密度は、ひ素とボロンの密度に比例すると共に、Asの電気的活性化と拡散の抑制効果もひ素とボロンの密度に比例して顕著になった。この技術は、ショートチャネルMOSトランジスターにおけるホットエレクトロンの発生を抑制する一つの方法として使えると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-10
著者
-
横田 勝弘
関西大学工学部
-
渡辺 正則
イオン工学センター
-
渡辺 正則
イオン工学研
-
渡邉 正則
(株)イオン工学研究所
-
横田 勝弘
関西大学工学部電子工学科
-
小田 耕治
関西大学工学部
-
松田 耕治
日新電機
-
岡本 陽一
関西大学工学部
-
安東 靖典
日新電機
-
関根 耕平
イオン工学センター
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